Could not load file or assembly 'xxxxx' or one of its dependencies. An attempt was made to load a program with an incorrect format.

Este erro apareceu quando instalava um aplicativo que eu mesmo desenvolvi em uma máquina rodando o Windows 2008 R2 64 bits:

Could not load file or assembly 'xxxxx' or one of its dependencies. An attempt was made to load a program with an incorrect format.
(sendo que o 'xxxxx' é o nome do arquivo)

O problema aqui, é que esse aplicativo é 32 bits. Se o IIS não estiver configurador para permitir que aplicativos 32 bits sejam executados, então esse erro ocorrerá.

Para corrigir o erro, basta configurar o "Applications Pools" no IIS para permitir aplicativos 32 bits.

Abra o IIS Manager, clique com o botão direito no app pool, e selecione "Advanced Settings".

Depois, configure "Enable 32-bit Applications" para "True".

Depois é só clicar em OK e pronto! :D

Circuitos com Diodos (Retificador de Ponto-Médio)

A Figura 1 esquematiza um circuito retificador de onda-completa. Note-se o ponto médio do enrolamento secundário do transformador ligado à terra. Por isso, realiza um retificador de ponto médio, equivalente a dois retificadores de meia-onda, cada um com uma tensão de entrada igual a metade da tensão secundária. O diodo D1 conduz durante as alternâncias positivas e o diodo D2 durante as alternâncias negativas. Daí resulta que a corrente retificada na carga passa nas duas alternâncias. O retificador de ponto médio comporta-se como dois retificadores de meia-onda refletidos entre si.

Figura 1

Durante ambas as alternâncias, a tensão de carga tem a mesma polaridade e a corrente de carga mantém igual sentido. Assim, o circuito também corresponde ao chamado retificador de onda-completa, visto que muda a tensão alternada de entrada numa tensão contínua pulsante à saida, como representa a Figura 2.

Figura 2

Como o sinal de onda-completa tem duas vezes mais alternâncias positivas que o sinal de meia-onda, o valor contínuo ou médio é duplo, sendo dado por:

Ud = 2Up / PI

Uma vez que 2/PI = 0,636 (aproximadamente), então:

Ud = 0,636 Up 

Nesta expressão vê-se que o valor contínuo ou valor médio é igual a 63,6 % do valor de pico. Por exemplo, se a tensão de pico do sinal de onda completa for 100 V, o respectivo valor médio determina a tensão contínua igual a 63,6 V.

Frequência de Saída

Num retificador de meia-onda a frequência de saída iguala a frequência de entrada. Mas num retificador de onda-completa acontece algo invulgar na frequência de saída. A tensão da rede de alimentação tem a frequência de 60 Hz. Por conseguinte, o período da entrada vem

Tin = 1/f  =  1/60Hz = 17 ms

Em consequência da retificação de ponto médio, o período do sinal de onda-completa é metade do periodo da entrada:

 Tout = 17 ms / 2 =  8,5 ms

Ao calcular a frequência de saída, obtém-se:

fout = 1 / Tout = 120 Hz  (aproximadamente)

Ou seja, a frequencia de saida é o dobro da frequencia de entrada. 

 

Circuitos com Diodos (Retificador de Meia-Onda)

A Figura abaixo, representa a forma de onda de uma tensão de entrada. Repare que a fonte de tensão alternada fornece uma tensão senoidal. Uma senoide pura como esta possui valor médio nulo ao longo de um ciclo, porque cada tensão instantânea tem sempre um valor igual e oposto passado meio ciclo. Se se medir esta tensão com um voltimetro de tensão contínua obtem-se uma leitura igual a zero, porque um voltímetro de tensão contínua indica o valor médio da tensão.

Figura 1

No retificador de meia-onda da Figura 2, o diodo conduz durante as alternâncias positivas, mas não conduz nas alternancias negativas. Por isso o circuito corta as alternancias negativas, como se vê na figura 3. Uma forma de onda como esta designa-se sinal de meia-onda. 

Figura 2

Figura 3

Um sinal de meia-onda como o da Figura 3 constitui uma tensão contínua pulsante, a qual cresce para um máximo, decresce para zero e permanece nula durante a alternância negativa. Não se trata da tensão contínua que convém nos equipamentos eletrôncos. O que se precisa é de uma tensão contínua constante, tal como se obtem de uma bateria. Para se conseguir esta tensão constante torna-se indispensável filtrar o sinal de meia-onda.

Valor Contínuo do Sinal de Meia-Onda

O valor contínuo de um sinal, referent à sua componente contínua pura, é o mesmo que o valor médio. Se se medir um sinal com um voltímetro de tensão contínua a leitura será igual ao valor médio. A sua formula é:

Ud = Up/PI

sendo Up o valor de pico de meia-onda. Dado que 1/PI = 0,318 (aproximadamente), temos que:

Ud = 0,318 Up

A escrita dessa forma mostra que a tensão contínua pura, referente ao valor médio, é igual a 31,8% do valor de pico. Por exemplo, se a tensão de pico do sinal de meia-onda for 100V a tensão contínua ou valor médio será de 31,8V.

Frequência de Saída

A frequência do sinal de saída é a mesma do sinal de entrada. Isto faz sentido comparando a Figura 3 com a Figura 1. Cada ciclo da tensão de entrada origina um ciclo da tensão de saída. Portanto, deduz-se

fout = fin  

Teoria de Diodo

Um vulgar resistor é um dispositivo linear porque a representação gráfica da sua corrente em função da tensão é uma reta. Num diodo é diferente. Trata-se de um dispositivo não-linear porque o gráfico da corrente em função da tensão não é retilíneo. A razão para isto reside no potencial de barreira. Quando a tensão do diodo é inferior ao potencial de barreira a corrente do diodo é pequena. Se a tensão do diodo exceder o potencial de barreira a corrente do diodo aumentará rapidamente.

A figura acima representa o símbolo gráfico de um diodo. O lado P chama-se anodo e o lado N designa-se catodo.

Já na figura abaixo, é mostrado um gráfico da corrente no diodo em função da tensão. Esta representação consitui um resumo visual do que foi estudado nos tópicos anteriores. Por exemplo, com o diodo polarizado diretamente a corrente é insignificante até a tensão do diodo exceder o potencial de barreira. Por outro lado, se o diodo estiver polarizado inversamente quase não há corrente inversa até a tensão do diodo chegar à tensão de disrupção. Então, o fenômeno de avalanche produz uma corrente inversa muito intensa, danificando o diodo.

Na zona direta, a tensão à qual corrente começa a crescer rapidamente chama-se tensão de joelho (knee voltage). A tensão de joelho é igual ao potencial de barreira. A tensão de joelho num diodo de silício é aproximadamente 0,7V.

Semicondutores (Parte II)

Diodo Não-polarizado

Quando um fabricante dopa um cristal de maneira que uma metade seja do tipo P e a outra metade do tipo N, resulta em algo novo e interessante. A fronteira entre o os materiais do tipo P e tipo N chama-se junção PN. A junção PN levou a diversas espécies de invenções, como diodos, transistores e circuitos integrados. Assim, a compreensão da junção PN permite perceber todas as espécies de dispositivos semicondutores.

Cada átomo trivalente num cristal de silício dopado origina um buraco. Cada sinal - envolvido por uma circunferência representa um átomo trivalente e cada sinal + simboliza um buraco na sua órbita de valência.
Análogamente, os átomos pentavalentes e os elétrons livres num semicondutor tipo N são visualizados como se vê no lado direito da figura. Cada sinal + dentor de uma circunferência indica um átomo pentavalente e cada sinal - exprime o elétron livre com que esse átomo contribui para o semicondutor. Note que cada pedaço de material semicondutor é elétricamente neutro, porque o número de sinais "mais" iguala os sinais "menos".

Um fabricante pode produzir um único cristal com material tipo P num lado e tipo N no outro, como ilustra a figura acima. A junçaõ é a fronteira onde se encontram as regiões tipo P e tipo N. Outro nome para um cristal PN é diodo de junção.

Devido à repulsão exercida entre si, os elétrons livres no lado N tendem a difundir-se (espalhar-se) em todas as direções. Alguns dos elétrons livres difundem-se através da junção. Quando um elétron livre entra na região P ( da esquerda da figura), torna-se um portador minoritário. Com tnatos buracos à sua volta, este portador minoritário possui uma curta duração de vida. Pouco depois de ter entrado na região P, o elétron livre cai num buraco. Logo que isto acontece, o buraco desaparece e o elétron livre torna-se um elétron de valência.

Cada par de íons positivo e negativo na junção chama-se dipolo. A criação de um dipolo significa que um elétron livre e um buraco deixaram de circular. Como a formação de dipolos aumenta, a região vizinha da junção é esvaziada de portadores. Esta região sem carga elétrica diz-se camada de depleção.

Os íons nesta camada de depleção originam um potencial de barreira. À temperatura ambiente este potencial de barreira é aproximadamente 0,7V num diodo de silício e 0,3V num diodo de germânio.

Polaridade Direta

Quando uma tensão externa se opõe ao potencial de barreira o diodo é polarizado diretamente. Se a tensão aplicada for maior que o potencial de barreira a corrente será elevada. Quer dizer, num diodo polarizado diretamente, a corrente flui facilmente.

Polaridade Inversa

Quando o terminal da negativo da bateria está conectado ao lado P e o terminal positivo ao lado N, dizemos que o diodo está polarizado inversamente.

Apesar disso, haverá ainda uma pequena corrente com polaridade inversa. Essa corrente denomina-se corrente de saturação. O nome de saturação significa que não se consegue obter mais corrente de portadores minoritários do que a produzida pela energia térmica. Ou seja, o aumento da tensão inversa não elava a quantidade de portadores minoritários criados termicamente.

Disrupção

Os diodos tem tensões estipuladas máximas. há um limite quanto à tensão inversa que um diodo pode suportar sem ser danificado. Se se continuar a elevar a tensão inversa atinge-se a tensão de disrupção do diodo. Em muitos diodos a tensão de disrupção é, pelo menos, de 50 V. O datasheet de um diodo mostra quanto vale a tensão de disrupção.

Uma vez atingida a tensão de disrupção, aparece repentinamente uma grande quantidade de portadores minoritários na camada de depleção e o diodo conduz uma corrente intensa.

Semicondutores (Parte I)

Condutores e Isolantes. 

Chamam-se condutores as substâncias nas quais os elétrons se locomovem com facilidade. Como se sabe, os elétrons circulam em órbitas distintas em torno do núcleo, tal como os planetas à volta do sol. Quanto mais perto do núcleo, maior é a força gravitacional que atrai o elétron para o centro. Assim, os elétrons da camada de valência do átomo sofrem menos atração do núcleo por estarem mais longe do mesmo. Como a atração entre o centro e o elétron da camada de valência é muito fraca, uma força exterior pode desalojar facilmente este elétron do átomo. Isso acontece por exemplo em um átomo de cobre, onde há somente um elétron na camada de valência. Por isso, esse elétron é designado como elétron livre. Também é por isso que o cobre consitui um bom condutor. A mais pequena tensão elétrica provoca a fluência dos elétrons livres de um átomo para outro vizinho.

 As substancias que têm os elétrons fortementes ligados ao núcleo do átomo são denominadas isolantes. Exemplos: borracha, plástico, etc. 

Semicondutores

Os melhores condutores (prata, cobre e ouro) têm um elétron de valência, enquanto que os melhores isolantes possuem oito elétrons de valência. Um semicondutor é um elemento com propriedades elétricas entre as de um condutor e as de um isolante. Como será de esperar, os melhores semicondutores têm quatro elétrons de valência.

Quando os átomos de silício se combinanm formam um sólido, configurando-se num padrão regular chamado cristal. Cada átomo de silício partilha os seus elétrons com quatro átomos vizinhos, de tal maneira que todos têm oito elétrons na órbita de valência. Estes oito elétrons produzem uma estabilidade química que resulta numa peça sólida do material de silício.  Uma órbita de valência que contenha oito elétrons está saturada, porque não se podem fixar mais elétrons nesta órbita.

Num cristal de silício as vibrações dos átomos podem desalojar, eventualmente, um elétron da órbita de valência. Se isto acontecer, o elétron liberto adquire energia suficiente para atingir uma órbita mais distante. Então obtém-se um elétron livre. A saída do elétron livre cria um lugar vago na órbita de valência, denominado buraco. Este buraco comporta-se como uma carga positiva, já que a perda do elétron origina um íon positivo. Assim, o buraco atrai e capta qualquer elétron na sua vizinhança.

Um semincondutor intrínseco é um semicondutor puro. Um cristal de silício´será um semicondutor intrínseco se cada átomo no cristal for um átomo de silício. À temperatura ambiente um cristal de silício comporta-se como um isolante, porque  dispões de poucos elétrons livres e buracos originados pela energia térmica.

Dopagem de um Semicondutor
Uma maneira de aumentar a condutividade de um semicondutor consiste na dopagem. Isto significa adicionar átomos de impureza a um cristal intrínseco para lhe alterar a condutividade elétrica. Um semicondutor dopado diz-se semicondutor extrínseco.

É possível dopar um semicondutor aumentando a quantidade de elétrons livres, ou de buracos. Assim, obtemos dois tipos de Semicondutores.
Semicondutores Tipo N: O silício que tenha sido dopado com uma impureza pentavalente chama-se semicondutor tipo N, onde N significa negativo. Como o número de elétrons livres excede o de buracos neste tipo de semicondutor, os elétrons livres dizem-se portadores maioritários e os buracos são portadores minoritários.
Semicondutores Tipo P: O silício que tenha sido dopado com uma impureza trivalente designa-se semicondutor tipo P, onde P significa positivo. Uma vez que os buracos excedem o número de elétrons livres, os buracos referem-se por portadores maioritários e os elétrons por portadores minoritários.

MSP430 LaunchPad (MSP-EXP430G2)

     Nesta primeira postagem, vou apenas escrever um pouquinho sobre o MSP430 LaunchPad da Texas Instruments.

O LaunchPad é uma ferramenta de desenvolvimento fácil de usar, destinado tanto a usuários iniciantes quanto a usuários experientes para a criação de aplicativos baseados em microcontroladores MSP430.

Ele tem um soquete DIP que suporta microcontroladores de até 20 pinos. Possui uma ferramenta de emulação on-board que permite uma interface direta com o PC para uma programação, depuração e avaliação fácil. O LaunchPad ainda inclui dois botões e dois LEDs, além de pinos extras de entrada e saida que permitem uma integração com outros dispositivos. Também acompanham o LaunchPad, dois microcontroladores MSP430.

O Software e compilador podem ser baixados gratuitamente em: Code Composer Studio version 4.

Mais informações, visite o site: http://www.ti.com/launchpadwiki

Nas próximas postagens, vamos conhecer mais sobre os microcontroladores MSP430 que acompanham o LaunchPad e depois implementar nosso primeiro exemplo prático. Até lá.